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GT60M105


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 900V
UGE ±25V
IC DC/AC 60/120A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/800nS
TJ 150°C
der GT60M105 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 900V, Ic = 60A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor
Photo: -
Quelle: Toshiba Databook Power MO...... [mehr]
Toshiba Databook Power MOSFETs 1996
Erweiterte Informationen zu GT60M105
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:2-21F2C
GT60M105 Datenblatt (jpg):verfügbar
GT60M105 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen: ↑GN9060E
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

GT60M105


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UGE ±25V
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Ptot 200W
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Ähnliche Typen: ↑GN9060E
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

GN9060E


SI N-IGBT Transistor
similar to GT60M105, see note
GFX
UCE 900V
UGE 20V
IC 60A
Ptot 200W
fT -
TJ -
der GN9060E ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 900V, Ic = 60A, Anwend: Leistungsstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: GN9060E
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse:TOP-3L
GN9060E Datenblatt (jpg):-
GN9060E Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
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Ähnliche Typen: ↑GT60M102, [mehr]
GT60M102,..,GT60M104
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